DN2540N8-G, MOSFETs 400V 25Ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008902999
- Артикул
- DN2540N8-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- SOT89-3
- Width
- 2.6mm
- Series
- DN2540
- Military
- No
Цена по запросу
(от 168 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DN2540 - это транзистор с низкопороговым режимом разрядки (нормально включенный), использующий усовершенствованную вертикальную структуру DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевыx затворов.
Технические параметры
| Case | SOT89-3 |
| Width | 2.6mm |
| Series | DN2540 |
| Military | No |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.79 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-243AA |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | Single |
| Drain current | 0.17A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | reel, tape |
| Supplier Package | SOT-89 |
| Power dissipation | 1.6W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 25Ω |
| Drain-source voltage | 400V |
| Pulsed drain current | 0.5A |
| Forward Diode Voltage | 1.8V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Drain Source Resistance | 25 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 mA |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 1600 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 400 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.17 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 200@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 25000@0V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25Ом |