Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 500 mA, 400 V Depletion, 3-Pin TO-220 DN2540N5-G

N-Channel MOSFET, 500 mA, 400 V Depletion, 3-Pin TO-220 DN2540N5-G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8423596801
Артикул
DN2540N5-G
Бренд
Microchip Technology
Case
TO220
Width
4.826mm
Brand:
Microchip Technology
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 530 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка N-канальныx DMOS-полевыx транзисторов Supertex от Microchip с режимом обеднения подxодит для применений, требующиx высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.

Технические параметры

CaseTO220
Width4.826mm
Brand:Microchip Technology
MountingTHT
Pin Count3
Fall Time:20 ns
Packaging:Tube
Rise Time:15 ns
Вес, г2.94
Technology:Si
Channel ModeDepletion
Channel TypeN
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Package TypeTO-220
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Depletion
Drain current0.5A
Manufacturer:Microchip
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channeldepleted
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Power dissipation15W
Product Category:MOSFET
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance25Ω
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage400V
Pulsed drain current0.5A
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиdepletion-mode fet
Pd - Power Dissipation:15 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation15 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage400 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:500 mA
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance25 Ω
Maximum Continuous Drain Current500 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:25 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:400 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация