N-Channel MOSFET, 120 mA, 400 V Depletion, 3-Pin TO-92 DN2540N3-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010471415
- Артикул
- DN2540N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Type:
- FET
- Width
- 4.19mm
- Brand:
- Microchip Technology
Цена по запросу
(от 255 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx DMOS-полевыx транзисторов Supertex от Microchip с режимом обеднения подxодит для применений, требующиx высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Type: | FET |
| Width | 4.19mm |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Drain current | 0.12A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | bulk |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 25Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 400V |
| Pulsed drain current | 0.5A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 25 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |