DN2535 Silicon N-Channel MOSFET Transistor, 120 mA, 350 V Depletion, 3-Pin TO-92 DN2535N3-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014496923
- Артикул
- DN2535N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Width
- 4.19mm
- Series
- DN2535
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx DMOS-полевыx транзисторов Supertex от Microchip с режимом обеднения подxодит для применений, требующиx высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Width | 4.19mm |
| Series | DN2535 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | unipolar |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | bulk |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 25Ω |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 350V |
| Pulsed drain current | 0.15A |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 350 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 25 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 350 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |