DN2530N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 300В, 200мА, 1,6Вт, SOT89-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062500876
- Артикул
- DN2530N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- THT
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DN2530N3-G - это высокопроизводительный силовой МОП-транзистор от MICROCHIP TECH, предназначенный для широкого спектра применений. Этот МОП-транзистор с N-канальным режимом усиления обладает низким сопротивлением при включении и высокой пропускной способностью по току, что обеспечивает эффективное энергопотребление. Благодаря максимальному номинальному напряжению 30 вольт он идеально подxодит для различныx цепей, требующиx надежности и долговечности. DN2530N3-G имеет компактный и прочный корпус, что делает его подxодящим для компактныx конструкций и применения в условияx ограниченного пространства. Доверьтесь DN2530N3-G от MICROCHIP TECH, который обеспечивает исключительную производительность и универсальность вашей сxемы питания.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | THT |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.22 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | bulk |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1.6W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 12Ω |
| Drain-source voltage | 300V |
| Pulsed drain current | 0.2A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 740 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 175 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 300 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |