DN2450N8-G, Trans MOSFET N-CH 500V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002187435
- Артикул
- DN2450N8-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- SOT89-3
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 140 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT89-3 |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot-89 |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Power dissipation | 1.6W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 10Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 0.7A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 160 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 500 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |