DN2450K4-G, MOSFETs MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004628616
- Артикул
- DN2450K4-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO252
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.33
Цена по запросу
(от 132 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Power dissipation | 2.5W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 10Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 0.7A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 350 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 500 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10 Ом |