DMWSH120H90SCT7Q, SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: 1000V TO263-7 TUBE 50PCS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033770440
- Артикул
- DMWSH120H90SCT7Q
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 8.5 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 18.8 ns
Цена по запросу
(от 2 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 18.8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 54.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 197 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 38.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +15 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 90 mOhms |