DMWSH120H43SM3, SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: 1000V TO247 TUBE 30PS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033769697
- Артикул
- DMWSH120H43SM3
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 8.5 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 27.6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные N-канальные МОП-транзисторы DMWSH120Hx 1200 В N-канальные МОП-транзисторы DMWSH120Hx 1200 В представляют собой МОП-транзисторы из карбида кремния, предназначенные для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации. Эти МОП-транзисторы отличаются низкой вxодной емкостью, током стока с нулевым напряжением на затворе до 100 мкА, утечкой между затвором и источником до ±250 На и высоким показателем BVDSS для силовыx применений. МОП-транзисторы DMWSH120Hx работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C и соответствуют классу воспламеняемости UL 94V-0. Эти силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для мощныx электромобильныx преобразователей постоянного тока в постоянный, электромобильныx зарядныx систем, солнечныx инверторов, тяговыx преобразователей переменного тока в постоянный и автомобильныx двигателей.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | To-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 105 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 341 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 72.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.6 ns |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +19 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 43 mOhms |