Моя заявка (0)

DMTH8008LFGQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K

DMTH8008LFGQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018666419
Артикул
DMTH8008LFGQ-7
Бренд
DIODES INC.
Series
DMTH8008LFGQ
Pin Count
8
Вес, г
77
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 320 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия DiodesZetex DMTH8008LFGQ - это N-канальные МОП-транзисторы, разработанные в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности.

Технические параметры

SeriesDMTH8008LFGQ
Pin Count8
Вес, г77
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerDI3333-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation50Вт
СтруктураMOSFET
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance0.0069 O
Drain Source On State Resistance0.0053Ом
Maximum Continuous Drain Current70 A
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока70А
Рассеиваемая Мощность50Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerDI 3333
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В61
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0053Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация