DMTH8003SPS-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566908
- Артикул
- DMTH8003SPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.21
- Серия
- DMTH8003
- Структура
- MOSFET
- Transistor Polarity
- N Channel
Цена по запросу
(от 212,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V-100V
Технические параметры
| Вес, г | 0.21 |
| Серия | DMTH8003 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20.9 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI5060-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 124.3 nC |
| Время нарастания | 24.4 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.9mО© @ 30A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.9W |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 100A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 47.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |