DMTH8001STLWQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018651468
- Артикул
- DMTH8001STLWQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Product:
- MOSFETs
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 698,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные МОП-транзисторы в автомобильном режиме усиления DMTH8001STLWQ МОП-транзистор в автомобильном режиме усиления DMTH8001STLW - это N-канальный МОП-транзистор с низким сопротивлением при включении (обычно 1,1 Мом, максимум 1,7 Мом) и превосxодной производительностью переключения. DMTH8001STLW имеет напряжение стока-истока 80 В, ток стока с нулевым напряжением затвора 1 мкА и утечку затвора-истока ±100 На. Это устройство соответствует стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и оптимизировано для применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Product: | MOSFETs |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 138 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 270 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 61 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2mΩ@30A, 10V |