Моя заявка (0)

DMTH61M8SPSQ-13, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Surface Mount

DMTH61M8SPSQ-13, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008893052
Артикул
DMTH61M8SPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Series
DMTH61M8SPSQ
Pin Count
8
Вес, г
0.2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 493 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия DiodesZetex DMTH61M8SPSQ - это N-канальные МОП-транзисторы, разработанные в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности.

Технические параметры

SeriesDMTH61M8SPSQ
Pin Count8
Вес, г0.2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypePowerDI5060-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation167Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.0016 O
Drain Source On State Resistance0.0011Ом
Maximum Continuous Drain Current215 A
Линейка Продукции-
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока215А
Рассеиваемая Мощность167Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerDI5060
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)-
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0011Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А215
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0011 Ом

Техническая документация