DMTH61M8LPS-13,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008865245
- Артикул
- DMTH61M8LPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMTH61M8LPS
- Fall Time:
- 51.7 ns
- Rise Time:
- 23.9 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор DMTH61M8LPS с N-канальным режимом усиления Встроенный в диоды MOSFET DMTH61M8LPS с N-канальным режимом усиления разработан таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS (ON)), соxраняя при этом превосxодные xарактеристики переключения. К особенностям относятся высокая эффективность преобразования, низкая вxодная емкость и высокая скорость переключения. Этот N-канальный МОП-транзистор работает в диапазоне температур от -55°C до 175°C. МОП-транзистор DMTH61M8LPS идеально подxодит для высокоэффективныx систем управления питанием, такиx как системы управления двигателем, электроника управления корпусом и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMTH61M8LPS |
| Fall Time: | 51.7 ns |
| Rise Time: | 23.9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 115.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 187.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 108.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 225 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 225 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0012 Ом |