Diodes Inc DMT Dual N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013254565
- Артикул
- DMTH6016LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.95mm
- Series
- DMT
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 100
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 3.95mm |
| Series | DMT |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 100 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 @ 10 V nC |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.6 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом |