DMTH6016LPSQ-13, PowerDI-5060-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017625984
- Артикул
- DMTH6016LPSQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 5.2 ns
Цена по запросу
(от 80,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 16 Мом при 20 А, 10 В 2.5V@250uA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов PowerDI-5060-8 ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 5.2 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | PowerDI5060-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.6W;37.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 37.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 864pF@30V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.8A;37A |
| Id - Continuous Drain Current: | 37 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@20A, 10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16mΩ@20A, 10V |