Моя заявка (0)
DMTH6016LFDFWQ-7R, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059653
Артикул
DMTH6016LFDFWQ-7R
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMTH6016LFDFWQ
Fall Time:
7.2 ns
Rise Time:
4.2 ns
Цена по запросу
(от 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMTH6016LFDFWQ
Fall Time:7.2 ns
Rise Time:4.2 ns
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:U-DFN2020-6
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:15.3 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14.5 ns
Id - Continuous Drain Current:9.4 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:18 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18 mOhms

Техническая документация