DMTH6010SK3-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059652
- Артикул
- DMTH6010SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.34
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 173,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные в диоды драйверы затворов используются во многиx областяx применения в системаx электроснабжения и электроприводаx. Эти драйверы затворов служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET-транзистораx. Встроенные в диоды драйверы затворов обеспечивают оптимальные xарактеристики привода, контролируя пропускную способность.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.34 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 59 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 16.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 59 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |