DMTH6010SCT, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059651
- Артикул
- DMTH6010SCT
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- ECCN
- EAR99
- PPAP
- No
- HTSUS
- 8541.29.0095
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Технические параметры
| Tab | Tab |
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | No |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | No |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.8 |
| Серия | DMTH6010 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| REACH Status | REACH Affected |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | DMTH6010 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 20A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 11.2 |
| Typical Rise Time (ns) | 10.4 |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 125W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36.3nC @ 10V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2800 |
| Qg - заряд затвора | 36.3 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 36.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 36.3@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16.3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 30V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 100 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1940@30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.2@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |