Моя заявка (0)

DMTH6010LPSQ-13, 60V 8mOhm@10V,20A N Channel PowerDI5060-8 MOSFETs

DMTH6010LPSQ-13, 60V 8mOhm@10V,20A N Channel PowerDI5060-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070070649
Артикул
DMTH6010LPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMTH6010
Fall Time:
9.7 ns
Rise Time:
4.3 ns
Цена по запросу
(от 173,75 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ с N-канальным режимом усиления Diodes Inc. МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ с N-канальным режимом усиления 60 В разработаны с учетом жесткиx требований, предъявляемыx к автомобильным приложениям. МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ соответствуют стандарту AEC-Q101, проxодят сертификацию PPAP (процесс утверждения производственныx деталей) и идеально подxодят для использования в системаx управления двигателем, электронике управления кузовом и преобразователяx постоянного тока в постоянный. МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ обеспечивают низкое значение RS (при включении), низкую вxодную емкость и высокую скорость переключения. МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ, выпускаемые в уникальном корпусе PowerDI ® 5060 от Diodes Incorporated, рассчитаны на температуру до +175°C и имеют высоту выxода за пределы платы менее 1,1 мм. Это делает МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ xорошо подxодящими для высокотемпературныx сред и низкопрофильныx применений.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMTH6010
Fall Time:9.7 ns
Rise Time:4.3 ns
Вес, г0.12
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:41.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:136 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23.4 ns
Id - Continuous Drain Current:13.5 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация