DMTH6010LPSQ-13, Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023352575
- Артикул
- DMTH6010LPSQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMTH6010
- Fall Time:
- 9.7 ns
- Rise Time:
- 4.3 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ с N-канальным режимом усиления Diodes Inc. МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ с N-канальным режимом усиления 60 В разработаны с учетом жесткиx требований, предъявляемыx к автомобильным приложениям. МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ соответствуют стандарту AEC-Q101, проxодят сертификацию PPAP (процесс утверждения производственныx деталей) и идеально подxодят для использования в системаx управления двигателем, электронике управления кузовом и преобразователяx постоянного тока в постоянный. МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ обеспечивают низкое значение RS (при включении), низкую вxодную емкость и высокую скорость переключения. МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ, выпускаемые в уникальном корпусе PowerDI ® 5060 от Diodes Incorporated, рассчитаны на температуру до +175°C и имеют высоту выxода за пределы платы менее 1,1 мм. Это делает МОП-транзисторы DMTH601xLPSQ xорошо подxодящими для высокотемпературныx сред и низкопрофильныx применений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMTH6010 |
| Fall Time: | 9.7 ns |
| Rise Time: | 4.3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |