DMTH6009LPS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475252
- Артикул
- DMTH6009LPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 120,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные в диоды МОП-транзисторы DMTx представляют собой МОП-транзисторы с N-канальным режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | PowerDI5060-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 33.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.76 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |