DMTH6004SK3-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566902
- Артикул
- DMTH6004SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- N Channel
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Diodes Incorporated
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 212,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 100 А 3.8mOhm@10V,904 В при 250 мкА N-канальные МОП-транзисторы TO-252 (DPAK), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Grade | Automotive |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.46 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 95.4 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 3.9W;180W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 90A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W(Ta), 180W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 95.4nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.556nF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.8 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4556 pF @ 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.8mΩ@10V, 90A |