Моя заявка (0)

DMTH6004SCTBQ-13, MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A

DMTH6004SCTBQ-13, MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059645
Артикул
DMTH6004SCTBQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMTH6004
Вес, г
613
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 455 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMTH6004
Вес, г613
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:95.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:136 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:163 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.4мОм

Техническая документация