DMTH6004SCTB-13, MOSFETs Enh Mode FET 41V to 60V TO263
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059644
- Артикул
- DMTH6004SCTB-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMTH6004
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 350 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMTH6004 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 11.7 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 95.4 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 4.7 W |
| Power Dissipation (Max) | 4.7W(Ta), 136W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.2 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95.4 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.9 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4556 pF @ 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |