Моя заявка (0)
DMTH6004LPS-13, PowerDI5060-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8052797353
Артикул
DMTH6004LPS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMTH6004
Fall Time:
32.9 ns
Rise Time:
17.7 ns
Цена по запросу
(от 73,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMTH6004
Fall Time:32.9 ns
Rise Time:17.7 ns
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:96.3 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)2.6W;138W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.6 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)96.3nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9.9 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.515nF@30V
Typical Turn-Off Delay Time:53.5 ns
Continuous Drain Current (Id)22A;100A
Id - Continuous Drain Current:22 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт167
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.8mΩ@25A, 10V

Техническая документация