Моя заявка (0)

DMTH43M8LK3Q-13, 40V 100A 3.6mOhm@20A,10V 88W null TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS

DMTH43M8LK3Q-13, 40V 100A 3.6mOhm@20A,10V 88W null TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026478747
Артикул
DMTH43M8LK3Q-13
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
0.53
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 79,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 31V-40V

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.53
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage40 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Qg - заряд затвора38.5 nC
Maximum Drain Source Resistance0.0052 Ω
Время нарастания5.7 ns
Maximum Continuous Drain Current17.6 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности88 W
Id - непрерывный ток утечки100 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения23.5 ns
Типичное время задержки при включении5.2 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт88
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.6мОм

Техническая документация