DMTH43M8LK3Q-13, MOSFETs MOSFETBVDSS: 31V-40V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059641
- Артикул
- DMTH43M8LK3Q-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.33
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 159,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 31V-40V
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.33 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Qg - заряд затвора | 38.5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0052 Ω |
| Время нарастания | 5.7 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 17.6 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 88 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 23.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 88 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |