Моя заявка (0)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMTH43M8LFGQ-13

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMTH43M8LFGQ-13

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024693664
Артикул
DMTH43M8LFGQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Pin Count
8
Fall Time:
12.4 ns
Rise Time:
10.7 ns
Цена по запросу
(от 237 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DiodesZetex производит N-канальный МОП-транзистор с режимом усиления, разработанный в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Pin Count8
Fall Time:12.4 ns
Rise Time:10.7 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerDI3333-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:40.1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:65.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.16 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:24.6 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.005 Ω
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт65.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация