Моя заявка (0)
DMTH41M8SPSQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018706215
Артикул
DMTH41M8SPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
13.7 ns
Rise Time:
41.3 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 246,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:13.7 ns
Rise Time:41.3 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI5060-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:79.5 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:35.1 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация