DMTH4011SPD-13, MOSFETs MOSFET BVDSS 31V 40V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059637
- Артикул
- DMTH4011SPD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMTH4011
- Fall Time:
- 1.9 ns
- Rise Time:
- 3.8 ns
Цена по запросу
(от 137,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMTH4011 |
| Fall Time: | 1.9 ns |
| Rise Time: | 3.8 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 37.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |