Моя заявка (0)
DMTH4008LPSQ-13, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062365849
Артикул
DMTH4008LPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Type
null
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
5.8 ns
Rise Time:
7.5 ns
Цена по запросу
(от 76 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

40 В 8.8mOhm@10A,10 Напряжение 3 В при 250 мкА на нулевыx МОП-транзистораx PowerDI-5060-8 соответствует требованиям ROHS

Технические параметры

Typenull
Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:5.8 ns
Rise Time:7.5 ns
Вес, г0.26
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI5060-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:15.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:2500
Power Dissipation (Pd)2.99W;55.5W
Pd - Power Dissipation:55.5 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)15.3nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4.3 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.088nF@20V
Typical Turn-Off Delay Time:16.7 ns
Continuous Drain Current (Id)14.4A;64.8A
Id - Continuous Drain Current:64.8 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация