Моя заявка (0)

DMTH4008LFDFWQ-13, 40V 11.6A 11.5mOhm@10A,10V 990mW 3V@250uA 1 N-channel UDFN2020-6 MOSFETs ROHS

DMTH4008LFDFWQ-13, 40V 11.6A 11.5mOhm@10A,10V 990mW 3V@250uA 1 N-channel UDFN2020-6 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067874082
Артикул
DMTH4008LFDFWQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMTH4008
Fall Time:
5.8 ns
Rise Time:
3.1 ns
Цена по запросу
(от 100,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMTH4008
Fall Time:5.8 ns
Rise Time:3.1 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:U-DFN2020-6
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:14.2 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2.35 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14.2 ns
Id - Continuous Drain Current:11.6 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:11.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация