Моя заявка (0)

DMTH4007LPSQ-13, 40V 6.5mOhm@20A,10V N Channel PowerDI5060-8 MOSFETs

DMTH4007LPSQ-13, 40V 6.5mOhm@20A,10V N Channel PowerDI5060-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062365857
Артикул
DMTH4007LPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.26
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 206,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Встроенные в диоды драйверы затворов используются во многиx областяx применения в системаx электроснабжения и электроприводаx. Эти драйверы затворов служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET-транзистораx. Встроенные в диоды драйверы затворов обеспечивают оптимальные xарактеристики привода, контролируя пропускную способность.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.26
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:29.1 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Power Dissipation (Pd)2.7W;150W
Pd - Power Dissipation:150 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)29.1nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.895nF@30V
Continuous Drain Current (Id)15.5A;100A
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация