DMTH4005SK3Q-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070099220
- Артикул
- DMTH4005SK3Q-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Yes
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 127,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Yes |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | DMTH4005 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.34 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 49.1 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 7.3 |
| Typical Rise Time (ns) | 6.8 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Id - Continuous Drain Current: | 95 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 49.1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 49.1@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 18.6 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 95 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3062@20V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |