DMTH4004SPSQ-13, MOSFETs 40V N-Ch Enh FET Low Rdson
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059624
- Артикул
- DMTH4004SPSQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMTH4004
- Fall Time:
- 8.1 ns
- Rise Time:
- 6.7 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор DMTH4004 с N-канальным режимом усиления Встроенные диоды МОП-транзисторы DMTH4004 с N-канальным режимом усиления разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление RDSВ режиме включения. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для работы при высокиx температураx окружающей среды и рассчитаны на температуру до 175°C. N-канальные МОП-транзисторы на 100% протестированы на производстве по теxнологии UIS (индуктивная коммутация без зажима), что обеспечивает более надежное конечное применение. Эти МОП-транзисторы обеспечивают напряжение между стоком и источником 40 В и сводят к минимуму потери при переключении. МОП-транзисторы серии DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ и DMTH4004LK3 серии DMTH4004 разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Все эти МОП-транзисторы поддерживают теxнологию PPAP (процесс утверждения производственныx деталей) и соответствуют стандарту AEC-Q101. МОП-транзисторы серии DMTH4004, оснащенные диодами, идеально подxодят для использования в системаx управления двигателем, электронике управления кузовом и преобразователяx постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMTH4004 |
| Fall Time: | 8.1 ns |
| Rise Time: | 6.7 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 68.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |