Моя заявка (0)

DMTH4004LK3-13, 40V 100A 3mOhm@10V,50A 180W 3V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS

DMTH4004LK3-13, 40V 100A 3mOhm@10V,50A 180W 3V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017613158
Артикул
DMTH4004LK3-13
Бренд
DIODES INC.
Type
1PCSNChannel
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMTH4004
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 77,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Diodes Incorporated
Series:DMTH4004
Вес, г0.5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:83 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)3.9W;180W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:180 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)83nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.45nF@25V
Continuous Drain Current (Id)100A
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт180
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3mΩ@10V, 50A

Техническая документация