Моя заявка (0)

DMTH32M5LPSQ-13, 30V 3.2W 1 N-channel PowerDI-5060-8 MOSFETs ROHS

DMTH32M5LPSQ-13, 30V 3.2W 1 N-channel PowerDI-5060-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070066077
Артикул
DMTH32M5LPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMTH32M5
Pin Count
8
Fall Time:
23.9 ns
Цена по запросу
(от 157,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMTH32M5
Pin Count8
Fall Time:23.9 ns
Rise Time:13.2 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerDI5060-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:68 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:100 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:7.2 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:37.5 ns
Id - Continuous Drain Current:170 A
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0032 Ω
Maximum Continuous Drain Current170 A
Rds On - Drain-Source Resistance:2.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация