Моя заявка (0)

DMTH3002LPS-13, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.00125 ohm, PowerDI 5060, Surface Mount

DMTH3002LPS-13, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.00125 ohm, PowerDI 5060, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000347656
Артикул
DMTH3002LPS-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.116
Серия
DMTH3002
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
1.2Вт
Цена по запросу
(от 269 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V

Технические параметры

Вес, г0.116
СерияDMTH3002
Channel TypeN Channel
Power Dissipation1.2Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокPowerDI5060-8
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора77 nC
Drain Source On State Resistance0.00125Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока100А
Рассеиваемая Мощность1.2Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Pd - рассеивание мощности136 W
Id - непрерывный ток утечки240 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораPowerDI 5060
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00125Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт136
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00125 Ом

Техническая документация