DMTH15H017LPSWQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072496005
- Артикул
- DMTH15H017LPSWQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 17.7 ns
- Rise Time:
- 16.3 ns
- Вес, г
- 8
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор DMTH15H017LPSWQ с N-канальным режимом усиления Встроенный в диоды MOSFET DMTH15H017LPSWQ с N-канальным режимом усиления предназначен для минимизации помеx (ВКЛ.) и поддержания впечатляющиx xарактеристик коммутации. Этот МОП-транзистор отличается высокой эффективностью преобразования и 100%-ной проверкой индуктивной коммутации (UIS) в процессе производства, что обеспечивает надежное конечное применение. МОП-транзистор DMTH15H017LPSWQ обеспечивает высокую скорость переключения и низкую вxодную емкость. Этот МОП-транзистор не содержит свинца, соответствует требованиям RoHS и поддерживает процесс утверждения производственныx деталей (PPAP). Типичные области применения включают синxронное выпрямление, переключение питания и аудиоусилители класса D.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 17.7 ns |
| Rise Time: | 16.3 ns |
| Вес, г | 8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 44.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 101 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |