Моя заявка (0)

DMTH10H4M6SPS-13, 100V 4.6mOhm@10V,30A 4V@250uA 1 N-channel PowerDI5060-8 MOSFETs ROHS

DMTH10H4M6SPS-13, 100V 4.6mOhm@10V,30A 4V@250uA 1 N-channel PowerDI5060-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070070689
Артикул
DMTH10H4M6SPS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series
DMTH10H4M6SPS
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 410 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия DiodesZetex DMTH10H4M6SPS - это N-канальные МОП-транзисторы, разработанные для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
SeriesDMTH10H4M6SPS
Pin Count8
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerDI5060-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:66 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2.7 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0046 O
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация