DMTH10H4M6SPS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059618
- Артикул
- DMTH10H4M6SPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMTH10H4M6SPS
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 227,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия DiodesZetex DMTH10H4M6SPS - это N-канальные МОП-транзисторы, разработанные для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMTH10H4M6SPS |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerDI5060-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 66 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0046 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 61 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |