Diodes Inc N-Channel MOSFET, 46.3 A, 100 V, 3-Pin DPAK DMTH10H025SK3-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016337029
- Артикул
- DMTH10H025SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMTH10H025
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор нового поколения отличается низким сопротивлением при включении и быстрым переключением, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMTH10H025 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 13.7 ns |
| Rise Time: | 11.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21.4 nC @ 10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27.5 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 46.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 46.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |