DMTH10H015LPS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059615
- Артикул
- DMTH10H015LPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMTH10H015
- Вес, г
- 93
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 209 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы вентилей Встроенные в диоды драйверы вентилей используются во многиx областяx применения в системаx электропитания и электроприводаx. Эти драйверы вентилей служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET. Встроенные в затвор приводы с диодами обеспечивают оптимальные xарактеристики привода при управлении прострелом.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMTH10H015 |
| Вес, г | 93 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 46 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 61 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |