Моя заявка (0)

DMTH10H015LK3-13, Trans MOSFET N-CH 100V 52.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

DMTH10H015LK3-13, Trans MOSFET N-CH 100V 52.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022252811
Артикул
DMTH10H015LK3-13
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 90 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 100 В 52,5 А, 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
Typical Fall Time (ns)8.1
Typical Rise Time (ns)7
Особенности-
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)33.3
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)33.3@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.5
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)19.7
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.5
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)52.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1871@50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)15@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А52.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация