Моя заявка (0)
DMTH10H010LPS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059612
Артикул
DMTH10H010LPS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
22 ns
Rise Time:
14.1 ns
Вес, г
6
Цена по запросу
(от 160,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:22 ns
Rise Time:14.1 ns
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI5060-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:53.7 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:125 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42.9 ns
Id - Continuous Drain Current:98.4 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.4 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В61
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация