Моя заявка (0)

DMTH10H005SCT, Транзистор: N-MOSFET; 100В; 99А; Idm: 400А; 187Вт; TO220AB

DMTH10H005SCT, Транзистор: N-MOSFET; 100В; 99А; Idm: 400А; 187Вт; TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062365893
Артикул
DMTH10H005SCT
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
41.6 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
30.3 ns
Цена по запросу
(от 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:41.6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:30.3 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:111.7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:187 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:29.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:79.7 ns
Id - Continuous Drain Current:140 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация