DMTH10H005SCT, MOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059610
- Артикул
- DMTH10H005SCT
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 41.6 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 30.3 ns
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 41.6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 30.3 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 111.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 187 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 140 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 61 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 187 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |