DMTH10H005LCT, Transistor: N-MOSFET; unipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060673976
- Артикул
- DMTH10H005LCT
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 2
- Серия
- DMTH10H005
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 369,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V-100V
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | DMTH10H005 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 53.1 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 114 nC |
| Время нарастания | 26.9 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 187 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 140 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 83.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |