DMT8008LFG-7,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 48 A, 0.0053 ohm, PowerDI3333, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003661054
- Артикул
- DMT8008LFG-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 21 ns
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 308 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 21 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI3333-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 37.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1W;23.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 37.7nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.254nF@40V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A;48A |
| Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.9 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6.9mΩ@20A, 10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 48 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 23.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0053 Ом |